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プレスリリース

2019年1月8日
株式会社東レリサーチセンター
富士通アドバンストテクノロジ株式会社

(株)東レリサーチセンターと富士通アドバンストテクノロジ(株)における協業開始のお知らせ

~高度な試作・分析技術(リアル)とシミュレーション(バーチャル)の両輪による
デバイス実装分野のソリューションを提供~

株式会社東レリサーチセンター(本社:東京都、代表取締役社長:川村邦昭、以下、TRC)と富士通アドバンストテクノロジ株式会社(本社:神奈川県、代表取締役社長:宮澤秋彦、以下、FATEC)は、デバイス実装分野のエンジニアリングサービス提供で協業を開始したことをお知らせ致します。

近年の電子製品におけるエレクトロニクス技術の高度化に対し、それらを支える半導体の微細化は限界を迎えつつあります。そこでは、半導体の微細化技術に加えて、デバイス実装の高度化が求められています。こうした背景に対し、実績豊富なTRCの分析技術と、FATECのデバイス実装・シミュレーション技術を活用することで、お客様のご要望や課題に沿ったサービスを提供していきます。

協業の背景

近年のAI、IoT、自動運転には高度なエレクトロニクス技術が必須ですが、その根幹を支える半導体の微細化は限界を迎えつつあります。そこで現在、半導体の微細化に加えて、デバイス実装分野に対して、LSI注1にTSV注2を使用して積層する3次元実装パッケージ注3や、シリコンインターポーザ注4を用いた2.5次元実装パッケージ注5などデバイス実装技術の高度化が求められています。

このように高度化するデバイス実装分野において、お客様からは設計や製造プロセスを含めた課題解決策の提案や、トラブル発生メカニズム解明のご要望が寄せられています。この技術開発や不良・故障解析では現物を精度よく分析して事象を正確に把握することに加えて、トラブル発生メカニズム解明や最適化設計のためにシミュレーション技術が必要となっています。

協業の概要

TRCは、自動車、IT機器、電子デバイスなどの高分子材料、半導体材料、金属材料のあらゆる素材の受託分析・評価により、様々な分野の研究開発の問題解決や不良品・故障品の詳細分析を支援しております。一方、FATECは、富士通のスーパーコンピューターやサーバ向けに熱・応力・高速伝送のシミュレーションを活用したデバイス実装の構造設計技術や製造プロセス技術を提供してまいりました。

今回、設計から試作、量産までのお客様の開発工程に対して、 TRCの最先端分析技術とFATECのデバイス実装技術、構造・熱シミュレーション技術のリアルとバーチャルの両輪で、ますます高度化するデバイス実装分野において、両社の強みを活かしたエンジニアリングサービスを提供していきます。

これにより、新規デバイスやパッケージ部品の立上げ期間の短縮、デバイス構造設計の妥当性検証やトラブル発生メカニズム解明を実践することで、お客様の開発期間の短縮に貢献します。

さらに今後、AI技術を活用した高精度なデバイス実装の接合寿命予測サービスなどに取り組んでいきます。

以上

注釈

注1 LSI:Large scale integrated circuit(大規模集積回路)
注2 TSV:Through Silicon Via(シリコン貫通電極)
注3 3次元実装パッケージ:複数のLSIを積層して立体的に高密度化した部品
注4 シリコンインターポーザ:微細配線が形成されたシリコン製の基板
注5 2.5次元実装パッケージ:複数のLSIを平面上に高密度実装した部品

関連リンク

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お問い合わせ先

富士通アドバンストテクノロジ株式会社
ビジネス推進室

電話:044-742-2100(代表)
受付時間:9時~17時(土曜日・日曜日・祝日・年末年始を除く)