Fujitsu Microelectronics Europe
Fujitsu introduce una nuova Mobile FCRAM da 128Mbit conforme alle specifiche COSMORAM Rev.3
Monaco, 8 Novembre 2004 — Fujitsu Microelectronics Europe ha annunciato oggi la disponibilità dei campioni della nuova Mobile Fast Cycle RAMTM (FCRAM)1 da 128Mbit che supporta il funzionamento di tipo burst conforme alla terza revisione delle Specifiche Comuni per le Mobile RAM (COSMORAM)2, da usare nelle applicazioni di telefonia mobile. Le alte prestazioni in termini di velocità e la grande capacità di immaganizzamento la rendono ideale a soddisfare le esigenze delle applicazioni più avanzate della telefonia mobile 3G.
I nuovi dispositivi da 128Mbit, "MB82DBS04314C" e "MB82DBS08164C", supportano una frequenza di funzionamento massima, in modalità burst, di 108MHz con una singola tensione di alimentazione di 1.8V, pienamente rispondente alle esigenze di memoria delle applicazioni di telefonia mobile di prossima generazione. Il dispositivo fornisce un'alta velocità di trasferimento dati poiché la modalità burst permette veloci operazioni di lettura /scrittura in sequenza attraverso la sincronizzazione con il clock di sistema.
La massima corrente di standby di 300uA può essere drasticamente ridotta attraverso le diverse modalità di power-down configurabili dall'utente quale ad esempio la modalità sleep e la modalità partial che consentono rispettivamente di spegnere in toto o solo parzialmente la memoria quando non è usata dal sistema. In aggiunta, la "MB82DBS04314C" è la prima PSRAM da 128Mbit al mondo che adotta un bus a 32bit con indirizzi e dati multiplexati che realizza più del doppio della velocità di trasferimento delle attuali memorie, estendendo da un lato la dimensione del bus dati e riducento dall'altro il numero di pin in modo da facilitare ai clienti il progetto delle schede.
I campioni saranno disponibili sia in package monolitico, che in forma di chip o wafer per particolari applicazioni, come le soluzioni combinate con piu' tipi di dispositivi in un unico package.
Questo annuncio vuole sottolineare l'impegno continuo di Fujitsu nello sviluppo e produzione di memorie ad alto valore aggiunto per specifiche applicazioni, in risposta alle esigenze dei clienti.(1)(2)
Principali caratteristiche
| Codice d’ordine | MB82DBS04314C | MB82DBS08164C | |
|---|---|---|---|
| Densità | 128Mbit | ||
| Configurazione I/O | x32 Address/Data multiplex bus |
x16 | |
| Tensione Alimentazione | VDD | 1.7 ~ 1.95 V | |
| Frequenza di Funzionamento Burst | 108MHz | ||
| Tempo d’Accesso da Clock (Max) | tAC | 6ns | |
| Tempo d’Accesso Random (Max) | tCE | 70 ns | |
| Corrente di Standby (Max) | IDDS1 | 300 µA | |
| Corrente di Power Down (Max) | IDDPS | 10 µA | |
Glossario
- 1
- Nucleo RAM con tecnologia proprietaria Fujitsu capace di alta velocità e basso assorbimento di corrente. La Mobile FCRAM è una RAM pseudo statica, dove al nucleo FCRAM e' stata applicata un'interfaccia di tipo SRAM.
- 2
- Specifiche Comuni per la prossima generazione di dispositivi con interfaccia utente di tipo pseudo SRAM per applicazioni di telefonia mobile annunciate da Fujitsu, NEC Electronics e Toshiba il 17 Febbraio 2003
FCRAM is a trademark of Fujitsu Ltd. All other company/product names mentioned herein are trademarks or registered trademarks of their respective companies.
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