Fujitsu Microelectronics Europe
Fujitsu présente une nouvelle FCRAM Mobile 128Mbit conforme au COSMORAM Rev.3
Paris, 8 Novembre 2004 — Fujitsu Microelectronics Europe annonce la disponibilité de l'échantillon d'une nouvelle FCRAM Mobile à 128 Mbit, produit qui permet les opérations en mode rafale, en conformité avec les Spécifications pour RAM Mobile COSMORAM Rev.3, à utiliser dans les applications de téléphones mobiles. La haute vitesse et large densité de ce produit le destinent aux vendeurs de téléphone mobile 3G qui souhaitent fournir des applications avancées.
Les nouveaux produits 128 Mbits device “MB82DBS04314C” et “MB82DBS08164C” atteignent une fréquence d'opération maximale en mode rafale de 108 MHz avec seulement 1.8V, ce qui répond aux exigences de mémoires pour les applications de téléphone mobile de la prochaine génération. Ils ont un débit de transfert de données élevé car le mode rafale permet des opérations successives rapides de lecture/écriture par une synchronisation avec l'horloge système.
Le courant maximum de 300 ? A en attente peut être réduit considérablement grâce aux modes de mise hors tension configurables par les utilisateurs tels que le mode veille et le mode mise hors tension partielle. De plus, le “MB82DBS04314C” est la première PSRAM 128M au monde à adopter un bus multiplex d'adresses/données de 32 bits dont le débit de transfert de données est plus du double de celui des produits existants, en raison de l'élargissement du bus de données, et qui réduit le nombre de broches pour une conception plus simple de carte utilisateur.
Ces échantillons seront disponibles sous forme de boîtier monolithique, de puce ou wafer pour les applications embarquées, y compris sous forme de boîtiers multi puces pour les solutions mémoire.
Cette annonce souligne l'engagement de Fujitsu de continuer à développer et produire des produits mémoire pour applications à haute valeur ajoutée, en réponse aux demandes des clients.
Spécifications principales
| Référence produit | MB82DBS04314C | MB82DBS08164C | |
|---|---|---|---|
| Densité | 128Mbit | ||
| Configuration E/S | Addresse x32/Bus de données multiplex |
x16 | |
| Tension d'alimentation | VDD | 1.7 ~ 1.95 V | |
| Fréquence d'opérations en mode rafale | 108MHz | ||
| Temps d'accès horloge (Max) | tAC | 6ns | |
| Temps d'accès aléatoire (Max) | tCE | 70 ns | |
| Courant de mise en veille (Max) | IDDS1 | 300 µA | |
| Courant de mise hors tension (Max) | IDDPS | 10 µA | |
Glossaire
- 1
- technologie unique de Fujitsu de haute vitesse et faible consommation d'énergie. La FCRAM Mobile est une RAM pseudo statique, avec une interface SRAM sur un noyau FCRAM..
- 2
- (Common Specifications for Mobile RAM) Spécifications communes pour l'interface utilisateurs pseudo SRAM de mobiles de prochaine génération annoncée par Fujitsu, NEC Electronics et Toshiba le 17 Février 2003.
FCRAM est une marque déposée de Fujitsu Ltd. Tous les autres noms de produit ou de société mentionnés sont des marques déposées de leurs propriétaires respectifs.
Une photo de résolution moyenne se rapportant à ce communiqué de presse peut être téléchargée à l'adresse suivante:
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