Fujitsu Microelectronics Europe
Fujitsu présente deux nouveaux composants FCRAM™ pour Mobiles qui fonctionnent en mode rafale

Frankfurt, 14 mai, 2003 — Fujitsu Limited et Fujitsu Microelectronics Europe GmbH (FME) ont annoncé l'introduction de deux nouveaux composants FCRAM pour mobiles basés sur l'architecture 'RAM à cycle rapide' (FCRAMä) développée par la société. Les nouvelles FCRAM pour mobiles, la "MB82DBS02163C" et la "MB82DBS04163B", sont les toutes premières à implémenter le mode rafale pour les cycles lecture et écriture, conformément aux 'Spécifications Communes aux RAM pour Mobiles' (COSMORAM), récemment annoncées par Fujitsu Limited, NEC Electronics Corporation et Toshiba Corporation.
Les nouveaux composants, conçus pour être utilisés dans les téléphones mobiles de 3ème génération, offrent la possibilité d'intégrer un appareil photos numérique, le flux de données vidéo et autres services multimédia répondant aux besoins de mémoire croissants des infrastructures avancées et aux taux de données élevés requis par les technologies de téléphones cellulaires. I
ls adoptent le mode rafale, compatible avec le mode lecture en rafale de la mémoire Flash, dans lequel les opérations de lecture consécutives sont synchronisées avec l'horloge système. En plus des opérations de lecture en rafale, les FCRAM effectuent des opérations d'écriture en rafale. Ce mode apporte aux FCRAM une performance accrue par rapport au mode Page. Les composants sont initialement opérationnels en mode Page à la mise en marche, et peuvent être configurés en mode rafale par l'utilisateur. Par conséquent, ces composants conservent les fonctionnalités propres à l'infrastructure actuelle. En plus des améliorations apportées aux accès Lecture et Ecriture, la consommation d'énergie a aussi été améliorée. La mise en veille, configurable par les utilisateurs, est disponible, ce qui permet d'optimiser la conception en vue d'une autonomie plus longue.
Ces nouveaux composants seront disponibles sous forme de boîtiers multipuces et monolithiques avec les mémoires Flash de Fujitsu ou sous forme de wafers pour des applications embarquées. Les versions à venir proposeront une fréquence rafale pouvant aller jusqu'à 100MHz et une densité jusqu'à 128 Mbit. Cette annonce souligne l'engagement de Fujitsu à continuer le développement et la production de produits mémoire à applications spécifiques et à haute valeur ajoutée, en réponse aux demandes des clients.
| Référence des pièces | MB82DBS02163C | MB82DBS04163B |
|---|---|---|
| Densité | 32M bit | 64M bit |
| Configuration E/S | x16 | x16 |
| Tension d'alimentation | 1.65V to 1.95V | 1.65V to 1.95V |
| Fréquence Rafale | 66MHz (@RL=5) | 66MHz (@RL=5) |
| Temps d'accès initial | 70ns | 70ns |
| Temps d'accès horloge | 12ns | 12ns |
| Temps d'accès Page | 20ns | 20ns |
| Tension VDD mode actif | 30mA | 30mA |
| Tension VDD mode veille | 80µA | 120µA |
| Tension VDD mode éteint | 10µA | 10µA |
Au sujet de Fujitsu Limited
Fujitsu est l'un des premiers fournisseurs de solutions de communications et de technologies de l'information orientées clients
pour le marché mondial. Des technologies exemplaires, une informatique et des plates-formes de télécommunications très fiables,
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offrant à ses clients des possibilités de succès infinies. Fujitsu Limited (TSE:6702) a son siège à Tokyo et annonce des revenus
consolidés de 30 Md€ pour l'année fiscale qui s'est achevée au 31 mars 2003.
Pour plus de renseignements, voir : http://www.fujitsu.com
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Fujitsu Microelectronics Europe est un fournisseur majeur de semi-conducteurs sur le marché européen et mondial. La société
fournit principalement des solutions systèmes pour les télécommunications et réseaux, la communication mobile, les marchés
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Cette approche en termes de solutions intégrées est étayée par un large éventail de semi-conducteurs, notamment des CI pour
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™FCRAM est une marque déposée de Fujitsu Limited au Japon.
