Fujitsu présente un nouveau produit FRAM 4 Mbit parallèle équipé de broches compatibles avec la SRAM à basse consommation d'énergie

Langen, Allemagne, 21 novembre 2013

Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) a annoncé aujourd'hui la sortie du MB85R4M2T, son nouveau produit FRAM 4 Mbit. Intégrant une interface parallèle compatible SRAM, le MB85R4M2T est logé dans un package TSOP à 44 broches compatible avec la SRAM standard à basse consommation d'énergie. Équipé de mémoire volatile à hautes performances en écriture, ce nouveau produit représente le choix idéal pour remplacer la SRAM protégée par batterie dans de nombreuses applications comme l'automatisation industrielle, le matériel de bureau, les systèmes de sécurité et les appareils médicaux.

Avantages de la FRAM sur la SRAM

La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est un type de mémoire non volatile à accès aléatoire. Sa non-volatilité permet aux données d'être conservées même en l'absence d'alimentation, tandis que son accès aléatoire autorise une écriture plus rapide et sans le retard généralement inévitable des mémoires non volatiles. La FRAM est également extrêmement durable et peut supporter 10 trillions de cycles de lecture/écriture. Grâce à sa capacité de stockage fiable des modifications les plus récentes apportées aux données en cas de coupure de courant ou de panne de l'alimentation principale, la FRAM constitue la solution idéale pour sauvegarder les informations des paramètres et les données journalisées dans les environnements instables.

La FRAM est non volatile ; c'est pourquoi le déploiement de batteries devient redondant : les clients peuvent ainsi économiser jusqu'à 50 % de leur budget de montage des circuits imprimés en supprimant la batterie. La non-volatilité favorise également les économies d'énergie : contrairement à la SRAM qui a besoin de courant pour conserver les données pendant que la source principale d'énergie est déconnectée (environ 15 µW par seconde), la FRAM ne nécessite pas d'énergie pour conserver les données. Le déploiement de batteries implique également des dépenses liées à leurs matériaux et à leur maintenance. En éliminant la batterie, la FRAM contribue ainsi à réduire les coûts des systèmes. Globalement, le dispositif FRAM joue un rôle prépondérant en réduisant la taille et la consommation d'énergie de l'application cible.

Le MB85R4M2T possède une configuration de bits de 262 144 mots x 16 bits ainsi qu'une gamme flexible de tension de fonctionnement comprise entre 1.8 et 3.6 V. Fujitsu garantit 10¹² cycles de lecture/écriture et une rétention des données de 10 ans à 85°C. La gamme de température du produit en fonctionnement industriel est comprise entre -40 °C et +85°C.

Disponibilité

Ce nouveau produit sera disponible en quantités d'échantillon à partir de janvier 2014.

Photo de presse

• Fujitsu présente son nouveau produit FRAM 4 Mbit parallèle. Équipé de broches compatibles SRAM, le MB85R4M2T permet de proposer des solutions sans batterie destinées aux machines industrielles et au matériel de bureau.
• version imprimable de la photo de presse