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技术文档
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space可选语言:英文,中文和俄文
dot数据手册
dot目录册/宣传册
dot封装搜索
space通过封装代码和规格进行搜索

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可靠性

用于FRAM的铁电材料影响了可靠性问题。数据保留和疲劳特性可以引起极化电荷的降低。富士通半导体通过评估测试元件组(TEG)和产品,显示出FRAM的电阻可靠性。
了解FRAM可靠性问题的更多信息,敬请参考:“富士通公司FRAM质量和可靠性

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生产和开发技术

IDM(整合元件制造商)组织促进实现高质量

富士通公司控制着整个FRAM工艺程序:研究、开发和量产。自从1999年的首批量产开始,我们已经生产并发售了大量的FRAM产品。公司集团之内可以控制包括晶圆和组装程序的整个FRAM生产,从而可以保证稳定的产品供应。此外,我们还实现了采用公司独有技术,如富士通首创的铁电膜构成技术,铁电电容器处理技术和铁电电容器降级(由绕线引起,ILD<层间介质>薄膜沉积)控制技术的高质量FRAM产品的供应。

工厂

晶圆处理:三重市工厂,富士通半导体有限公司

factory-mie 三重市工厂创建于1984年10月,是富士通半导体公司的一流工厂,主要进行逻辑LSI生产(前端程序)。位于桑名的三重市的工厂占地超过307,000m3。自从2005年4月开始,我们就设置了200nm和300nm的晶圆生产线,并在2007年设置了另外一条300nm的生产线。此外,三重市工厂正积极参与“绿色环保”活动,如复合隔震结构,NAS电池和零辐射。


组装工艺:南通富士通微电子股份有限公司

factory-nt南通工厂创建于1997年10月,是位于中国的一家富士通公司。主要聚焦通用微控制器和适用于模拟应用的线性集成电路。


什么是 FRAM?

独立存储器(I2C/SPI/并行接口产品)

适用于RFID的LSI

认证 IC

应用

定制 LSI

技术支持

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FRAM 样品/文件申请和咨询表格

Sample/Document Request
申请评估样品和/或文件,
如数据手册,宣传册等

Inquiry
针对一般性的问题,
如技术咨询,样品情况,定价等