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快速循環隨機記憶體(FCRAM™)
富士通的快速循環隨機記憶體（FCRAM™）是一種具備創新技術的動態隨機記憶體（DRAM）核心架構，以近似DRAM的產品價格造就能比媲美SRAM產品的效能。FCRAM™全新的核心概念能透過獨有的管線運作和隱藏式預充電提模式，將隨機存取的週期時間降低到少於目前最快SDRAM技術(Rambus和DDR記憶體技術)的一半。此外，FCRAM™ 的多重分段記憶體核心在同樣匯流排頻寬運作條件下，耗電量不到SDRAM的一半。
富士通目前具備SRAM介面的FCRAM™樣本適用於各種手機應用，而具備DDR介面的FCRAM™樣本適用於各種網路應用。FCRAM™可針對各種應用的需求作進一步開發。所有以FCRAM™架構為基礎的ASM系列元件最早發表於1998年6月的VLSI研討會中。
[ FCRAM : Consumer FCRAM/Low Power SDRAM/LP-SDRAM/LPSDRAM/Mobile SDRAM ]
| Product name | Application bit | Organization (Bank x) W x b | Clock Frequency (Max.) MHz | Clock Period (Min.) ns | Access Time (Max.) ns | Supply Current Max. (Operating) mA | Supply Current Max. (Standby) uA | Supply Voltage V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB81ES171625-12 | 16M | 2 x 512K x 16 | 85 | 11.7 | 10.2 | 30 | 1000 | +1.65 to +1.95 |
| MB81ES171625-15 | 16M | 2 x 512K x 16 | 66.7 | 15 | 12 | 30 | 1000 | +1.65 to +1.95 |
| MB81ES171625-15-X | 16M | 2 x 512K x 16 | 66.7 | 15 | 12 | 30 | 1000 | +1.65 to +1.95 |
| MB81ES173225-12 | 16M | 2 x 256K x 32 | 85 | 11.7 | 10.2 | 30 | 1000 | +1.65 to +1.95 |
| MB81ES173225-15 | 16M | 2 x 256K x 32 | 66.7 | 15 | 12 | 30 | 1000 | +1.65 to +1.95 |
| MB81ES173225-15-X | 16M | 2 x 256K x 32 | 66.7 | 15 | 12 | 30 | 1000 | +1.65 to +1.95 |
| MB81ES123245-10 | 128M | 4 x 1M x 32 | 108 | 9.2 | 7 | 5 | 500 | +1.7 to +1.9 |
[ FCRAM : Mobile FCRAM/Pseudo SRAM/pSRAM/COSMORAM ]
| Product name | Application bit | Organization (Bank x) W x b | Initial Access Time (Max.)ns | Page Mode Access Time (Max.)ns | Burst Clock Access Time (Max.)ns | Supply Current Max. (Standby)uA | Supply Current Max. (Power Down)uA | Shipping Style |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MB82D01181E-60L | 16M | 1M x 16 | 60 | N/A | N/A | 100 | 10 | Chip or Wafer |
| MB82DS01181E-70L | 16M | 1M x 16 | 70 | N/A | N/A | 100 | 10 | Chip or Wafer |
| MB82DP02183C-65L | 32M | 2M x 16 | 65 | 20 | N/A | 80 | 10 | Chip or Wafer |
| MB82DP02183D-65L | 32M | 2M x 16 | 65 | 20 | N/A | 100 | 10 | Chip or Wafer |
| MB82DBS02163C-70L | 32M | 2M x 16 | 70 | 20 | 12 | 80 | 10 | Chip or Wafer |
| MB82DBS02163D-70L | 32M | 2M x 16 | 70 | 20 | 8 | 100 | 10 | Chip or Wafer |
應用簡介
現今的網路無遠弗屆，而支援網路的電子裝置，在性能及功能上亦快速翻新。高性能行動電話及消費性數位電子產品市場持續穩定成長，預計將同步帶動隨機存取記憶體（RAM）市場的穩定成長。
為滿足相關隨機存取記憶體（RAM）市場的需求，富士通（Fujitsu）已開發出一款高性能、低耗電量的記憶體 – FCRAM。FCRAM是一種記憶體核心架構，即「快速循環隨機存取記憶體」的簡稱。富士通以FCRAM核心架構開發一系列的FCRAM產品，其中包括Consumer FCRAM及Mobile FCRAM等專用記憶體（ASM）。
Consumer FCRAM是一款採用同步動態隨機存取記憶體（SDRAM）介面，專供消費性數位電子產品及內嵌式裝置應用的記憶體。Mobile FCRAM則是一款專供行動電話應用的虛擬靜態隨機存取記憶體（Pseudo SRAM）。富士通以晶圓、裸晶、封裝成品等形式供應上述產品，並搭配我們的SoC/SiP解決方案，為客戶提供多樣化系統記憶體解決方案，以滿足客戶的各項需求。
產品訊息
- PDF FCRAM概述(94KB)
- PDF FCRAM Family 簡介(1.53MB)
- PDF COSMORAM Presentation(88KB)
♦ FCRAM為富士通微電子株式會社的商標。
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