F2MC-16LX系列常見問題
其他
- 在工具評估中,我能夠識別中斷向量的正常運行,但是在快閃記憶體中,中斷向量的運行不正常。(好象在重啟釋放後,中斷向量根本不運行 (針對:MB90590G)
- 資料手冊中指出,除了MB90F543 和MB90F549之外,其他產品可以保證在-40 ℃ 到 105 ℃下工作。G/ GS 產品是否也可以保證在-40 ℃ 到 105 ℃下工作 ?(針對MB90540/ 545系列)
- 當單片機運行時,如果GND打開,會出現什麼情況?
- 當大約100 到 150 V的噪音電壓被應用到1到5ns的電源輸入引腳,是否可以保證其ESD?(針對:MB90F549G)
- 什麼原因導致PC編程器出現103錯誤?
- 有沒有振盪器的匹配資料?
- 資料手冊中指明,Vcc引腳的平滑電容器的電容必須大於用於穩定電壓降落電流的電容器的電容。我可以用和用於穩定電壓降落電流的電容器的同樣電容嗎?
- 我們可以把感應器(L)插入到電源引腳來測量噪音嗎?
- 當用於監控電源的積體電路中出現重啟,電壓返回。造成這種情況的可能原因是什麼?
- 那些產品支援外部匯流排?
- 在有子時鐘的單片機中,WTC:SCE是表明顯示的時間是不是子時鐘振盪等待時間的一位。當看門狗重啟的時候,該位是不是被初始化了?
- 子時鐘振盪等待時間是2^15/SCLK。我想知道SCLK和外部子時鐘之間的關係
- MB90474 (MASK)的電源電流大於MB90F474(FLASH)的電源電流。這有關係嗎?(針對:MB90470)
- 當我改變要被使用的振盪器時,振盪波形會扭曲。這是為什麼? Murata製造公司的振盪器47pF內置產品被改為Murata製造公司的振盪器10pF產品
- 一些產品有硬體待命功能,一些沒有 。這是為什麼?
- 在MB90650A系列的內部ROM和外部匯流排模式中(外部匯流排模式的16位元模式),當CPU在存取內部ROM時,外部匯流排控制引腳的輸出狀態是怎樣的?(針對: MB90650A)
- 在MB90650A系列內部ROM和外部匯流排模式中(外部匯流排模式的8位元模式),當CPU在存取內部ROM時,外部匯流排控制引腳的輸出狀態是怎樣的?(針對: MB90650A)
- 要求子時鐘輸入嗎?
- 當單片機的電源(Vcc)關閉時,我可以把電壓應用到N-ch的開漏引腳嗎?(針對:MB90370)
- 在MB90650A系列內部ROM和外部匯流排模式中,P20到P27(A16到A23)引腳的狀態是怎樣的?
- 我想瞭解模式引腳取指規格(MD0, MD1, MD2).(針對:MB90650A)
- 富士通規格中的四方扁平式封裝和小外姓四方扁平式封裝有什麼區別?
- 晶體振盪器的振盪啟動時間多大程度上取決於其頻率?
- 當外部重啟在5V電源穩定變化的狀態下生成,RAM中的值會保留嗎?
- 我應該在快閃記憶體產品上安裝0.1uF瓷電容器,因為它是C引腳。如果我在掩模產品上安裝一個共用電容器,會造成問題嗎?
- 单片机的ESD的可靠性如何?
- MB90562 和MB90F562B之間有什麼區別?(針對: MB90F562/B)
- 單片機的ESD的可靠性如何?
- 我可以將外部時鐘輸入到X0A 和 X1A子時鐘引腳嗎?
- 當我根據開機重啟標準增加電源電壓的時候,“L”會被輸入到HST引腳,但是振盪不停止。為什麼?(針對:MB90540/545G)
- 手冊中指明,當用一個系統來使用單片機時,我應該對X0A引腳進行下拉處理,並使用打開X1A引腳。如果我對X0A引腳進行上拉處理,會造成什麼問題嗎?(針對:MB90540/ 545G)
- 手冊中指明,低電壓/ CPU運行檢測重啟控制寄存器(LVRC)的CPUF( CPU運行檢測標記)和LVRF(低電壓檢測標記)沒有被內部重啟初始化,而是被外部重啟初始化。這些標記是否被WDT重啟初始化?(針對:MB90420/ 425G)
- 手冊中寫明低電壓/ CPU運行檢測重啟結構圖中存在雜訊消聲器。雜訊消聲器可以消除多少噪音帶寬?(針對:MB90420/ 425G)
- 什麼是電子轉移?
在工具評估中,我能識別中斷向量的正常運行,但是在快閃記憶體中,中斷向量的運行不正常。(好象在重啟釋放後,中斷向量根本不運行 )(針對:MB90590G)
- 回答:
在MB90F594A, MB90F594G和 MB90F591A中,重啟向量被固定在FFA000H。因此,在工具評估中,用軟體確定的重啟向量有效。但是在快閃記憶體中,重啟向量無效,你可以通過規定其他存儲庫的中斷向量和重啟向量,來有效使用該硬體連線重啟功能,在快閃記憶體寫入關機後考慮
FAIL-SAFE 。
資料手冊中指出,除了MB90F543 和MB90F549之外,其他產品可以保證在-40 ℃ 到 105 ℃下工作。G/ GS 產品是否也可以保證在-40 ℃ 到 105 ℃下工作 ?(針對MB90540/ 545系列)
當單片機運行時,如果GND打開,會出現什麼情況?
- 回答:
當GND打開,運行無法得到保證。當“L”從輸入/輸出被輸入,單片機會照常運行,因為Vss保持GND電壓。
當大約100 到 150 V的噪音電壓被應用到1到5ns的電源輸入引腳,是否可以保證其ESD?(針對:MB90F549G)
- 回答:
我們不能保證,因為富士通不確保ESD。但是,我們認為噪音電壓的十億分之幾秒不會導致任何問題。
什麼原因導致PC編程器出現103錯誤?
- 回答:

- m2bs.exe錯誤判斷
當規定的檔不是S2格式或者校驗和不正確的時候,會出現這種錯誤。
- PC編程錯誤判斷
當資料無法通過從S2轉換成二進位,在二進位暫存檔案中被存儲,會出現這種錯誤。
有沒有振盪器的匹配資料?
資料手冊中指明,Vcc引腳的平滑電容器的電容必須大於用於穩定電壓降落電流的電容器的電容。我可以用與穩定電壓降落電流的電容器的電容一樣電容嗎?
- 回答:
你可以用與穩定電壓降落電流的電容器的電容一樣的電容,但是通常,Vcc引腳的電容器因為穩定化和噪音測試,要求更大的電容,因為是用於系統電源。
我們可以把感應器(L)插入到電源引腳來測量噪音嗎?
- 回答:
我們建議在把感應器(L)插入到電源引腳時,在單片機引腳和L之間插入電容器(C)。當你直接將L與單片機引腳相連接的時候,運行可能會變得不穩定,因為單片機本身的電壓在波動。
當用於監控電源的積體電路中出現重啟,電壓返回。造成這種情況的可能原因是什麼?
- 回答:
在單片機中,重啟的電流消耗和運行的電流消耗有所不同。當內部匯流排時鐘停止的重啟的時候,其重啟電流消耗往往比運行的電流消耗低。有必要在設計電源時考慮這種情況。
哪些產品支援外部匯流排?
- 回答:
MB90470, MB90495G, MB90540/ 545G, MB90550A/ B, MB90570A/ C, MB90580C/ CA
在有子時鐘的單片機中,WTC:SCE是表明顯示的時間是不是子時鐘振盪等待時間的一位。當看門狗重啟的時候,該位是不是被初始化了?
- 回答:
在有子時鐘的單片機中,WTC:SCE是表明顯示的時間是不是子時鐘振盪等待時間的一位。即使看門狗重啟的時候,該位也不會被初始化。當看門狗釋放後,單片機不等待子時鐘穩定等待時間結束便開始運行。
子時鐘振盪等待時間是2^15/SCLK。我想知道SCLK和外部子時鐘之間的關係
- 回答:
子時鐘振盪等待時間的2^15/SCLK所使用的SCLK在有子時鐘的單片機中表明解除閉鎖的原始振盪(用32除以4得到時鐘)。因此,時鐘振盪等待時間的2^15/SCLK=4秒。
MB90474 (MASK)的電源電流大於MB90F474(FLASH)的電源電流。這有關係嗎?(針對:MB90470)
- 回答:
沒關係。這取決於本系列中掩模和快閃記憶體中的採樣技術。
當我改變要被使用的振盪器時,振盪波形會扭曲。這是為什麼? Murata製造公司的振盪器47pF內置產品被改為Murata製造公司的振盪器10pF產品
- 回答:
當晶體振盪器的最優化負載電容變小,波形可能會扭曲。相反,如果最優化負載電容變大,餘振盪減少。諮詢振盪器製造商,判斷內置產品的最最優化負載電容。
一些產品有硬體待命功能,一些沒有 。這是為什麼?
- 回答:
當某應用不需要IG-OFF的處理或設置HSTX 到 "L"來停止振盪和IG-OFF的 CPU時,要使用硬體待命功能。在需要緊急停止時,使用這種功能。最近,許多客戶進行恒處理,用軟體把待命設置IG-OFF待命模式,許多產品沒有硬體待命功能。
在MB90650A系列的內部ROM和外部匯流排模式中(外部匯流排模式的16位元模式),當CPU在存取內部ROM時,外部匯流排控制引腳的輸出狀態是怎樣的?(針對: MB90650A)
| AD00 到AD15 |
Hi-z 狀態 |
| A16 到 23 |
外部ROM存取的最後級別被保留. |
| ALE |
L 級 |
| CLK |
CLK輸出(當輸出啟動時) |
| WRLX, WRHX |
H 級 (當輸出啟動時) |
| RDX |
H級 |
在MB90650A系列內部ROM和外部匯流排模式中(外部匯流排模式的8位元模式),當CPU在存取內部ROM時,外部匯流排控制引腳的輸出狀態是怎樣的?(針對: MB90650A)
| AD00 到AD07 |
Hi-z 狀態 |
| A08 到 A23 |
外部ROM存取的最後級別被保留.. |
| ALE |
L 級 |
| CLK |
CLK 輸出(當輸出被啟動) |
| WRLX, WRHX |
H 級 (當輸出被啟動) |
| RDX |
H 級 |
要求子時鐘輸入嗎?(針對:MB90370)
- 回答:
你可以根據下面的規範在沒有子時鐘輸入的情況下操作

- X0A = Vss, X1A = OPEN
- 主時鐘模式和子時鐘模式的設置被禁止
(包括其他從子時鐘模式轉換來的模式)
- LCD子時鐘運行被禁止
當單片機的電源(Vcc)關閉時,我可以把電壓應用到N-ch的開漏引腳嗎?(針對:MB90370)
- 回答:
電壓(最高到Vss + 5.5 V)可以被應用到N-ch的開漏引腳P80, P81, and P90 to P95),即使單片機的Vcc沒有供應的電壓。如需詳細資訊,請參閱資料手冊的H級輸入電壓標準。
在MB90650A系列內部ROM和外部匯流排模式中,P20到P27(A16到A23)引腳的狀態是怎樣的?
- 回答:
P20 到 P27 (A16 到 A23)的狀態如下:

- 當 RSTX = LOW 被輸入:未定義的輸出狀態
- 當 TEST = LOW 被輸入:Hi-z輸出狀態
- 當內部ROM在RSTX 和TEST 釋放之後被執行:未定義的輸出狀態
我想瞭解模式引腳取指規格(MD0, MD1, MD2).(針對:MB90650A)
- 回答:
在重啟時,閉鎖類型。注意每個模式引腳取指規格都有所不同。例如:MB905xx系列,即使微控制器在運行,也會取指模式引腳,。因此如果模式引腳輸入級別因為外部噪音的影響而改變,微控制器可能會出現故障。
富士通規格中的四方扁平式封裝和小外形四方扁平式封裝有什麼區別?
- 回答:
四方扁平式封裝和小外形四方扁平式封裝在高度上面有所不同。小外形四方扁平式封裝的高度小於或等於1.5 mm,四方扁平式封裝的高度大於1.5mm(不包括錯誤)。
晶體振盪器的振盪啟動時間多大程度上取決於其頻率?
- 回答:
頻率越高,振盪啟動時間越快。這是因為,隨著頻率增加,晶體變薄,晶體阻抗減少。隨著頻率減少,晶體變厚,晶體阻抗增加。比如:MB90594G使用 DAISHONKU公司的大真空振盪器的特性結果
條件 Vcc = 5.0 V, Ta = 25 ℃ 典型
4 MHz: 5 ms, 8 MHz: 3 ms, 16 MHz: 0.6 ms
當外部重啟在5V電源穩定變化的狀態下生成,RAM中的值會保留嗎?
- 回答:
當外部重啟在電源穩定的狀態下生成,同步重啟製作電路不會生成錯寫。因此,RAM值不會被錯誤重寫。
我應該在快閃記憶體產品上安裝0.1uF瓷電容器,因為它是C引腳。如果我在掩模產品上安裝一個共用電容器,會造成問題嗎?
- 回答:
對於掩模產品,內部邏輯在電源電壓中運行,所以0.1 µF瓷電容器應該裝在N.C引腳上,而不是C引腳上來進行內部供電。在該引腳上裝0.1 µF電容器不成問題。
單片機的ESD的可靠性如何?
- 回答:
我們在以下條件下評估ESD (1)人體模型(HBM, 100 pF, 1.5 kΩ): ±2000 V JEDEC class 2 (2)機器模型: ±300 V JEDEC class B 。
MB90562 和MB90F562B之間有什麼區別?(針對: MB90F562/B)
- 回答:
MB90562 和MB90F562B的區別在於是否有噪音測量和電壓下降電路。
單片機閉鎖的可靠性如何?
- 回答:
設計目標價值

- DC 閉鎖:±300 mA
- AD 閉鎖:±200V
我可以將外部時鐘輸入到X0A 和 X1A子時鐘引腳嗎?
- 回答:
你可以把外部時鐘輸入到X0A 和 X1A子時鐘引腳。輸入外部時鐘到X0A 引腳,使用打開狀態的X1A引腳。
當我根據開機重啟標準增加電源電壓的時候,“L”會被輸入到HST引腳,但是振盪不停止。為什麼?(針對:MB90540/545G)
- 回答:
當開機重啟出現時,降壓式電路穩定等待時間出現。即使“L”在這段時間內被輸入到HST引腳,振盪也不停止,因為信號不會在內部傳播。
手冊中指明,當用一個系統來使用單片機時,我應該對X0A引腳進行下拉處理,並使用打開X1A引腳。如果我對X0A引腳進行上拉處理,會造成什麼問題嗎?
- 回答:
X0A是輸入引腳。(參閱手冊和資料手冊中的電路類型)。確定使用打開狀態的X1A引腳,因為它在停止模式中被定為高級別。
手冊中指明,低電壓/ CPU運行檢測重啟控制寄存器(LVRC)的CPUF( CPU運行檢測標記)和LVRF(低電壓檢測標記)沒有被內部重啟初始化,而是被外部重啟初始化。這些標記是否被WDT重啟初始化?(針對:MB90420/ 425G)
- 回答:
內部重啟(比如WDT重啟,軟體重啟,開機重啟)和外部重啟不同,因此這些標記不會被WDT重啟初始化。
手冊中寫明低電壓/ CPU運行檢測重啟結構圖中存在雜訊消聲器。雜訊消聲器可以消除多少噪音帶寬?(針對:MB90420/ 425G)
- 回答:
YD010L1單元(未發佈)被用作噪音消聲音器。YD010L1用TYP消除25-ns。 當參考電壓下降幅度超過該帶寬,會檢測出噪音。
什麼是電子轉移?
- 回答:
在內部積體電路(IC)中,許多元件都集成在一個小金屬模子上,通過佈線相連接。內部連線數增加,高電流流入到小互連線的交叉部分。當電子移動,密度改變,金屬中就會發生導電。移動的電子和內部連線金屬的原子不斷碰撞。這種碰撞重複很多次,常常會偏向某一方向,因此原子只是一點一點得移動。這種移動不平衡,因此互連線的一部分鑽削。當內部連線的一部分鑽削,其餘部分的電流密度增加,加快原子移動。最終,出現斷開。這就叫作電子遷移。其活動狀態(直到斷開出現)取決於金屬、內部連線形成方法和內部連線表面狀態的類型。就鋁材料的內部連線而言,設計時確保10^5
(A/cm2) 或更高的電流不會流過。單片機的電流值定為絕對最大估值。(來自半導體的基本理論)