互补性金属氧化半导体(CMOS)高压
富士通为不同驱动器(液晶显示器、有机EL等等)提供互补性金属氧化半导体(CMOS)高压技术。
互补性金属氧化半导体(CMOS)高压技术的主要技术特点如下所示
| 技术 | 0.25 微米 | 0.35 微米 | 0.65 微米 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 逻辑电压(V) | 2.5 | 3.3 | 5 | ||
| 高电压 (V) | 40V | 12V | 40V | 12V | 18V |
| 18V | 18V | 25V | |||
| 25V | 25V | 32V | |||
| 32V | 32V | ||||
| 现有多层／金属层 | 2P5M | 2P4M | 1P2M | ||
| 电容器(*注) | 标准多层-多层 | 标准多层-多层 | 厚层/标准多层-多层 | - | |
| 电阻器(*注) | 扩散/多层电阻器 | 扩散/多层电阻器 | - | ||
| 可接受数据 | 2005年 4月 1日 | 现在 | 2005年 1月 1日 | 现在 | 现在 |
- *注
- 电容器和电阻器非必选项。
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