高端互补性金属氧化半导体(CMOS)

最后更新日期：2005年11月10日

在提供最新的互补性金属氧化半导体(CMOS)技术的过程中，我们正面临着同时也必须解决一些前所未遇的技术困难。这些困难不仅仅包括电路门的微细制备技术同时也包括低介电薄膜技术的铜配线。全世界很少有公司能提供同时使用铜配线和低介电薄膜技术的产品。

富士通很早就在铜配线和低介电薄膜技术领域积累了经验，铜配线适用于180纳米节点的互补性金属氧化半导体(CMOS)产品和更新的产品。正是基于这些经验，我们与竞争对手相比，在90纳米节点互补性金属氧化半导体(CMOS)的批量生产方面，更具优势和特色。

富士通通过提供最新的技术帮助客户获取更广泛的商业锲机。

• PDF 90nm CMOS Process (CS100A) (400KB)
• PDF 65nm CMOS Process (CS200/CS200A) (600KB)