互补性金属氧化半导体(CMOS)标准
下面的图表中列出了标准互补性金属氧化半导体(CMOS)技术的主要特点。如果您欲了解表中未列的其他技术信息，欢迎垂询。
互补性金属氧化半导体(CMOS)标准技术
| 技术 | 0.18 微米 | 0.25 微米 | 0.35 微米 | 0.50 微米 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 供电电压(V) | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 3.3(*2) | |
| 可用 接口(V) | 1.8/2.5/3.3 | 2.5/3.3 | 3.3/5.0 | 3.3/5.0 | |
| 可用多层／金属层 | 2P6M(*1) | 2P5M | 2P4M | 2P4M | |
| 基板 | P-基板 | P-基板 | P-基板 | P-基板 | |
| 混合信号方案(*3) | Triple-well | 是 | 是 | 是 | 是 |
| 扩散电阻器 | 是 | 是 | 是 | 是 | |
| 电容器 | 标准多层-多层 和 厚层 | 多层-多层 | 标准多层-多层 和 厚层 | 厚层 | |
- “2P6M”表示多层2层+金属6层
- 如欲在5V电压的条件下使用0.50微米技术，请预先联系我们
- 混合信号方案组合没有限制
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