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适用125度SiP应用的存储器

富士通 256Mbit512Mbit 消费类FCRAM芯片面向SiP应用支持高达125度的工作温度(结温)。扩展至支持125度的条件可以避免过热问题,从而使FCRAM可以与一片高功耗的Soc共同应用于SiP设计。这样的设计正是针对高性能消费类电子设备如数字电子或者数码摄像机等最理想的方案。

为什么需要使用适用125度的存储器?

背景

数字消费类电子产品的需求在不断的增长,因此,适用于该类应用的SiP(将Soc与存储器统一于单芯片封装中)的需求也相应的在不断增长。

详细信息请参考“SiP方案 ”。

SiP开发中的问题

散热设计已经成为SiP开发中的严重问题。由于Soc的功耗在不断增高,导致了整个芯片的严重的发热性问题。为了解决开发SiP中遇到的问题,存储器的设计对Soc的发热性有实质性的影响。近来,许多使用SiP的案例由于只能支持95度的工作温度而导致不能应用于高功耗的Soc。因此提高存储器的工作问题成为了将高功耗SoC应用于SiP的必要需求。

方案

富士通消费类FCRAM产品可以支持高达125度的工作温度,从而解决了上述的同高功耗SoC共同应用于SiP的散热问题。

PDF SiP散热设计的案例分析 (52KB)


SiP solution

图(a):  
使用高功耗的SoC,SiP系统温度达到了105度。
然而,传统的存储器产品只能达到95度的工作温度,所以这样的配置无法被使用。

图(b):  
通过使用散热设备,可以将SiP系统的温度降低,从而实现操作, 然而,这样的设计会大幅度增加设计成本。

图(c): 
使用支持125度的FCRAM,尽管SiP的温度达到105度,但仍然可以保持很好的工作,同时不需要使用散热设备。

使用支持125度的FCRAM是唯一的方案

SiP应用成为可能

  • 解决了散热问题,不会导致过热

无需使用散热设备

  • 无需使用散热设备的成本

支持125度工作问题的消费类FCRAM产品信息

内存容量 接口 数据总线结构 输入电压 工作温度范围 125度时的工作频率 125度是的数据传输速率 产品型号
256Mbit DDR 1M x 64 x 4 1.8V -10°C to +125°C 200MHz 3.2GByte/s MB81EDS256545
512Mbit DDR 2M x 64 x 4 1.8V -10°C to +125°C 200MHz 3.2GByte/s MB81EDS516545

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