适用于数字消费类电子设备的低功耗存储器产品
（X64，低电DDR SDRAM接口，理想的SiP应用产品）
256M-bit 消费类FCRAM

介绍

256Mbit消费类FCRAM特别适用于SiP设计，可以满足高度125度的工作温度要求，同时具备低功耗及高数据总线位宽的产品特点。该FCRAM产品，作为高速存储器，可与Soc产品实现单芯片封装的整合，从而为数字消费类产品提供性价比最好的处理器芯片加存储器系统的单芯片方案。

产品特性

256Mbit消费类FCRAM同时拥有最高至125度工作温度，低功耗及高数据位宽的产品特性。更有利于与高功耗的Soc芯片共同进行SiP的设计。这款FCRAM产品是存储器产品中第一款可以支持125度工作温度的产品，进一步促进了针对各种不同数字消费类电子产品的使用SiP可行性。

最高可至125度工作温度(结温)

• 传统SDRAM产品如DDR2 SDRAM或者LP DDR SDRAM只能支持到最高为95度的工作温度。而事实上，由于芯片散热的设计问题，95度是无法满足存储器产品与高功耗的SoC产品整合在一起完成SiP设计的。由于FCRAM的工作温度已经可以达到125度的高温，因此，FCRAM可以完成面对不同应用的SiP产品设计。

支持125度存储器产品针对SiP应用的介绍 

PDF SiP产品的散热设计的案例分析(54KB)

低功耗

• 更宽的64bit的数据总线位宽实现了不需要终端电阻同时可以在低工作频率条件下工作的可行性。因此，相对于同等容量但需要使用终端电阻工作DDR2 SDRAM，FCRAM的产品方案可以有效的降低产品的功耗。
• 相对于DDR2 SDRAM或者LP DDR SDRAM，256Mbit FCRAM拥有其两倍以上的数据传输性能，使用1颗FCRAM产品相当于同时使用两颗同等容量的其他DRAM存储器，因此，FCRAM相对于标准的SDRAM产品有效的实现了降低功耗的目标，尤其体现在需要使用高速数据处理速率1.6GB/S (12.8Gbps)以上的应用中。

PDF DDR2/LPDDR与FCRAM产品的功耗对比 (46KB)

高数据带宽

• X64-bit 接口的FCRAM实现了相对于标准DDR存储器两倍以上的数据传输速率
• 工作频率在105度的工作温度条件可以实现216MHz，125度时可实现200MHz

PDF DRAM与FCRAM产品的特性对比 (41KB)

技术支持

为了帮助客户完成产品设计，富士通可以为客户提供针对存储器产品验证的相关技术支持及工具，如，仿真模型，存储器控制器的接口仿真，FPGA评估板。
如果您需要更进一步信息，请联系我们并填写“FCRAM咨询表”（如下所示）。

• 数据手册
  
  • 主要规格( PDF DS05-11455-1E)
• 存储器控制器
• FPGA评估板（可选）
• 仿真模型
  
  • IBIS模型
  • Verilog 模型
  • SOMA模型（由Denali软件有限公司提供）
  • BFM （走线功能模型）
  • ESL（电气系统分级介绍）

256Mbit 消费类FCRAM产品信息

除了上述提到的具备64bit位宽及LP DDR的接口的256Mbit消费类FCRAM，富士通也可以同时提供具备32bit或64bit，LP SDR或DDR接口的产品， 如下

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