标准单元：CS81系列
规格（部分组件尚在开发中）
供应电压（单一电源供电）
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1.8V±0.15V, 1.5V±0.1V, 1.1V±0.1V |
供应电压（混合电源供电）
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3.5V±0.3V/1.8V±0.15V, 1.5V±0.1V, 1.1V±0.1V |
| 2.5V±0.2V/1.8V±0.15V, 1.5V±0.1V, 1.1V±0.1V |
| 1.8V±0.15V/1.5V±0.1V, 1.1V±0.1V |
界面层次
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互补性金属氧化半导体(CMOS)(1.1V到3.3V) |
互补性金属氧化半导体(CMOS)(1.1V到3.3V)
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52ps (高功率型，双输入NAND门, F/O=2, 典型负荷，@1.8V) |
耗电
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14μW/MHz (低功率型，双输入NAND门, F/O=2, 典型负荷，@1.8V) |
产品阵容（部分正在开发中）
自动设置不同类型帧，尽可能满足客户对特殊规格的需求。
S-帧，A-帧，B-帧，I-帧
编译单元
| 1RW-RAM (高密度) |
存储量 (16 至72 Kbits), 同步型 |
| 1RW-RAM (部分可写),(正在开发中) |
存储量 (16 至 72 Kbits), 同步型 |
| 1RW-RAM (高速), (正在开发中) |
存储量 (256 至 144 Kbits), 同步型 |
| 1RW-RAM (低功率), (正在开发中) |
存储量 (128 至 72 Kbits), 同步型 |
| 1RW-RAM (大型, 正在开发中) |
存储量 (812 至 1179 Kbits), 同步型 |
| 1RW/1R-RAM (高密度) |
存储量 (16 至 72 Kbits), 同步型 |
| 1RW/1R-RAM (部分可写), (正在开发中) |
存储量 (16 至 72 Kbits), 同步型 |
| ROM |
存储量 (256 至 1048 Kbits), 同步型 |
| 寄存文件存储器 (2R/1W, 2R/2W), (正在开发中) |
存储量 (4 至 4.6 Kbits), 同步型 |
| 先入先出队列（FIFO) (正在开发中) |
存储量 (128 至 32 Kbits), 同步型 |
| 延迟线 (正在开发中) |
存储量 (128 至 32 Kbits), 同步型 |
| 整数乘法器 |
被乘数 x 乘数 (3 至 32位 x 3 至32位) |
| 乘法累加器 |
被乘数 x 乘数 (3 至 32位 x 3 至32位) |
| 等等 |
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特殊输入/输出宏
| TLVTTL |
终端LVTTL (3.3V, 2.5V) |
| PCML |
伪电流模式逻辑（电流: Vc=2.0V, 1.6V, 1.3V) |
| LVDS |
低电压差动信号 |
| SSTL2 |
线脚系列终端逻辑 (2.5V) |
| PCI 缓存 |
3.3V 66MHz |
| USB 缓存 |
全速／低速／全速与低速驱动器／接收器 |
| AGP 2x |
图形加速接口2x 模式 |
模拟宏
| AD 转换器 |
8 bit/50MS/s (3.3V) |
| 10 bit/30MS/s (3.3V) |
| DA 转换器 |
8 bit/50MS/s (3.3V) |
| 10 bit/30MS/s (3.3V) |
| 10 bit/1.5MS/s (3.3V) |
| 8 bit/200KS/s (3.3V) |
另外，还可以根据客户个别要求,提供不同op-amps，模拟转换器和比较器。欲了解详细情况，请联系您的富士通经销商。
模拟PLL (内置LPF)
| 50MHz |
25MHz |
50MHz |
2 |
@1.8V |
| 100MHz |
25MHz |
100MHz |
4 |
@1.8V |
| 150MHz |
30MHz |
150MHz |
5 |
@1.8V |
| 200MHz |
50MHz |
200MHz |
4 |
@1.8V |
| 250MHz |
50MHz |
250MHz |
5 |
@1.8V |
| 300MHz |
50MHz |
300MHz |
6 |
@1.8V |
注意：只要输入和输出频率的组合小于规定的最大频率额，其他组合（增益）可以超过上述的规定。欲了解这方面的其他信息，请联系您当地的富士通代表处。
