门阵列：CG61P系列
规格
供应电压 (单一电源供电)
|
3.3V +/- 0.3V, 2.5V +/- 0.25 |
界面层次
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互补性金属氧化半导体(CMOS) (2.0V ~ 5.0V), 5V 持久性 |
传输延迟时间
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85ps (高功率型, 2 个输入 NAND, F/O = 2, 典型负荷, @3.3V) |
耗电
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0.32 μW/MHz (低功率型, 2个输入 NAND, F/O = 2, 典型符合, @3.3V) |
内置宏APLL
|
(90 至 160MHz / 150 至 210 MHz) |
产品阵容
| CG61723P |
70718 |
| CG61134P |
130372 |
| CG61204P |
207068 |
| CG61304P |
301184 |
现有组件包列表
LQFP ( 0.5mm 间距)
|
| 64 |
CG61723P/134P |
*(58/56) |
| 80 |
CG61723P/134P/204P/304P |
*(72/70) |
| 100 |
CG61723P/134P/204P/304P |
*(88/86) |
| 120 |
CG61723P/134P/204P/304P |
*(102/100) |
| 144 |
CG61723P/134P/204P/304P |
*(126/124) |
| 176 |
CG61134P/204P/304P |
*(152/150) |
| 208 |
CG61204P/304P |
*(178/176) |
| 256 |
CG61304P |
*(220/218) |
TQFP (0.4, 0.5mm 间距)
|
| 100 |
CG61723P/134P/204P/304P |
*(88/86) |
| 120 |
CG61204P/304P |
*(120/100) |
QFP (0.5, 5mm间距)
|
| 240 |
CG61204P/304P |
*(206/204) |
| 256 |
CG61304P |
*(220/218) |
#:有货,():最大 I/O额 ,*:待定,-:无货
编译单元
| 单接口RAM |
存储量(32~72 Kbits), 同步型 |
| 双接口RAM (大型) |
存储量(32~72 Kbits), 同步型 |
| 双接口RAM (寄存文件存储器) |
存储量(4~9 Kbits), 同步型 |
| APLL |
任意VCO振荡幅度(90 到 160 MHz / 150 到 210 MHz) |
特殊输入/输出 宏
| TLVTTL |
终端LVTTL (三电阻: 25Ω, 40Ω, 80Ω) |
| PCML |
伪电流模式逻辑 (中心层: Vc = 2.0V, 1.6V) |
| LVDS |
低电压差动信号 |
| SDRAM-I/F |
SDRAM接口缓冲(时钟/地址/总线驱动) |
注意：如欲了解更多信息和最新情况，请联系您当地的富士通经销商。
