门阵列：CG61系列
规格
供应电压(单一电源供电)
|
3.3V±0.3V, 2.5V±0.25V, 2.0V±0.1V |
界面层次
|
互补性金属氧化半导体(CMOS) (2.0V 到 5.0V), 5V 持久性 |
传输延迟时间
|
85ps (高功率型, 2个输入 NAND, F/O=2, 典型负荷, @3.3V) |
电耗
|
0.32μW/MHz (高功率型, 2个输入 NAND, F/O=2, 典型负荷, @3.3V) |
产品阵容
| CG1394 |
395156 |
| CG61594 |
591854 |
| CG61774 |
772484 |
| CG61115 |
1135440 |
| CG61155 |
1568076 |
有货组件包列表
| QFP |
120 |
0.8mm |
#(102) |
#(102) |
#(102) |
- |
- |
| 120 |
0.5mm |
#(102) |
#(102) |
#(102) |
- |
- |
| 144 |
0.5mm |
#(126) |
#(126) |
#(126) |
- |
- |
| 160 |
0.65mm |
#(138) |
#(138) |
#(138) |
#(138) |
- |
| 176 |
0.5mm |
#(152) |
#(152) |
#(152) |
- |
- |
| 208 |
0.5mm |
#(178) |
#(178) |
#(178) |
#(178) |
- |
| 240 |
0.5mm |
#(206) |
#(206) |
#(206) |
#(206) |
- |
| 256 |
0.4mm |
- |
*(220) |
*(220) |
*(220) |
- |
| HQFP |
208 |
0.5mm |
#(178) |
#(178) |
#(178) |
#(178) |
#(178) |
| 240 |
0.5mm |
#(206) |
#(206) |
#(206) |
- |
- |
| 304 |
0.5mm |
- |
*(264) |
*(264) |
*(264) |
*(264) |
| PBGA |
256 |
1.27mm |
*(220) |
*(220) |
- |
- |
- |
| 352 |
1.27mm |
*(304) |
*(304) |
- |
- |
- |
| EBGA |
352 |
1.27mm |
#(304) |
#(304) |
- |
- |
- |
| 420 |
1.27mm |
- |
#(360) |
#(360) |
- |
- |
| 576 |
1.27mm |
- |
- |
#(392) |
#(472) |
- |
| 672 |
1.27mm |
- |
- |
- |
- |
#(506) |
#:有货,():最大 I/O额 ,*:待定,-:无货
编译单元
| 单接口RAM |
存储量 (32 至72 Kbits), 同步型 |
| 双接口RAM(大型) |
存储量(32 至 72 Kbits), 同步型 |
| 双接口RAM(寄存文件存储器) |
存储量(4 至 9 Kbits), 同步型 |
| 整数乘法器 |
被乘数 x 乘数 (3 至 32位 x 3 至 32位) |
| 乘法累加器 |
被乘数 x 乘数 (3 至 32位 x 3 至 32位) |
| 等等 |
|
特殊输入/输出 宏
| TLVTTL |
终端LVTTL (三电阻: 25Ω, 40Ω, 80Ω) |
| PCML |
伪电流模式逻辑 (中心层: Vc = 2.0V, 1.6V) |
| LVDS |
低电压差动信号 |
| SDRAM-I/F |
SDRAM接口缓冲(时钟/地址/总线驱动) |
