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设计资源：处理技术
要成功开发大规模集成电路（LSI） 系统，最关键的就是选择优质的材料。自1977年伊始，富士通就始终处在开发这些高端处理技术领域的前沿。
在其核心互补性金属氧化半导体(CMOS) 专用集成电路（专用集成电路（ASIC)s)中，富士通提供六个系列，满足从30k门到14M门的不同应用需求：其中包括门海型（sea-of-gates），嵌入式阵列和标准单元方案。高级的0.18微米技术从1999第三个季度就开始投入生产，正在兴起的0.11微米技术已于2001年投入生产。
富士通的高级混合信号专用集成电路（ASIC)使用triple-well流程，可以减少模拟和数字信号间转换时的噪声。富士通的模拟功能库可以与标准数字库一样，充分地融入专用集成电路（ASIC)系列的互补性金属氧化半导体(CMOS)过程中去。
在嵌入式存储领域，富士通为更高级的系统集成提供同步SRAM和SDRAM功能块( building blocks)。
方法 | 平面规划 | 低功率 | 逻辑 | 深次微米粒子 | 测试 | STA | 布线 | 时序驱动 |
设计资源：设计方法
随着大规模集成电路系统的逐渐大型化和复杂化，高端的设计效能愈发凸显起重要性。设计界面层次正在赶超Netlist 和(暂存器转换层)RTL。
高端设计往往要占据70%到80%的总开发时间。通过为高端设计提供解决方案及使用包含先进技术的设计方法，富士通向客户提供针对具体应用的最佳解决方案。
- 功能，运算法则和结构验证（硬件和软件区分）
- 性能计算（系统性能、范围、时序和功率要求）
- 高精确度，超级TAT CAD系统
以下是富士通系统芯片(SOC)的设计流程图：
- 硬件和软件
- 共同设计
- 仿真
- 合成、测试合成
- 模拟／静态时序分析（STA）
- 布线
- 时序ECO
- 验证
设计资源：设计支持
富士通为客户提供配合系统LSI设计的一系列设计方法和一套支持系统来满足客户的设计要求。
这套支持系统在不同界面为客户提供开发支持。
