2006-11-28
富士通微电子（上海）有限公司

富士通推出符合COSMORAM Rev.4规格的256Mbit移动快速循环随机存储器（FCRAM™）

富士通独有技术可提高移动电话速度， 减少电耗，实现移动电话完美性能

上海，2006年11月28日 — 富士通微电子（上海）有限公司宣布,富士通微电子近日推出全新256Mbit移动快速循环随机存储器（FCRAM™）。该移动快速循环随机存储器是一种伪静态随机存储器(PSRAM)，在富士通快速循环随机存储器的核心技术的基础上带有一个静态存储器接口，可以实现高速运算和低电耗，非常适用于手机等各种移动应用。

该新款移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A采用双倍数据速率(DDR)突发模式，完全符合移动随机存储器(COSMORAM) Revision 4的通用规格要求。该产品器件有以下特点：

• 双倍数据速率(DDR)同步突发模式
• 多重地址/数据接口
• 高速数据传输速度，最高可达1GByte/s
• 短延迟模式，初始接入时间短

“无庸质疑，在未来移动电话市场上，像这样的信息密度高，运算速度快，耗电少的移动快速循环随机存储器（Mobile FCRAM）产品将成为必不可少的元件。” 富士通微电子市场总监庄健伟先生表示，“目前，高端的移动电话需要各种功能，如数码照相、数码摄像和地面数字广播流。富士通的快速循环随机存储器产品系列可以在现有的伪静态随机存储器(PSRAM)平台上实现高速的数据速率，从而提高手机性能。另外，MB82DDS08314A通过多重地址和数据总线能够把器件针数减到最低，从而可以免去客户方对线路板进行复杂设计。”

富士通是最早在移动电话市场上推出伪静态存储器的公司之一，一直以来为该市场的建立和发展做出了巨大的贡献。之前，为了满足市场对高速存储器的需求，富士通就推出了突发模式移动快速循环随机存储器产品系列——2003年5月推出32Mbit/ 64Mbit的器件，2003年8月推出了128Mbit的器件。

除了新的双数据速率移动快速循环随机存储器（Mobile FCRAM），富士通还提供符合传统COSMORAM Rev.3规格的256Mbit单倍数据速率(SDR) 移动快速循环随机存储器。该器件针对的是仍然使用原有单倍数据速率移动快速循环随机存储器接口，但需要更高随机存储器密度的客户。

产品样品将于2007年1月起推出，并于2007年4月起开始批量生产。两种器件不仅提供封装好的产品，同时还有芯片和晶片的供应形式。

术语说明

1 移动随机存储器(COSMORAM) Revision 4的通用规格:

2006年2月15日富士通、NEC和东芝宣布了双倍数据速率突发伪静态存储器用户接口的通用规格。

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关于富士通微电子（上海）有限公司

富士通微电子（上海）有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的市场与销售业务。
富士通微电子（上海）有限公司的产品包括专用集成电路（ASIC）、单片机（MCU）、专用标准产品（ASSP）/片上系统（SoC）和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并应用于广泛领域。在技术支持方面，分布于上海、香港、新加坡的ASIC支持设计中心和分布于上海、香港的系统解决方案设计中心及集成电路设计中心通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调，共同开发完整的解决方案，从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。
如需更多资讯，请浏览：http://cn.fujitsu.com/fmc/

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商标启事：
快速循环随机存储器(FCRAM)是富士通有限公司的商标。本文中提及的所有其他公司和产品名称均为相关公司的商标或注册商标。