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FRDC研究员参加在上海举行的The 4th International Workshop on Junction Technology会议

富士通研究开发中心有限公司

上海, 2004-03-16

第四届结技术国际研讨会(The 4th International Workshop on Junction Technology: IWJT-2004)于2004年3月15- 16日在上海举行。此次会议由中国电子学会和日本应用物理学会硅技术分会主办,由 IEEE EDS、国家自然科学基金委员会、International SEMATECH & SEMI、ECS 协办。

结技术国际研讨会自2000年起已连续在日本举行三届。随着CMOS器件的不断小型化,源漏pn结的形成技术越来越复杂,结技术已经成为研究和开发集成电路制造技术的广大研究者、工程师们一个共同关心的问题。在前三届结技术国际研讨会上,除了一大批活跃在结技术研发第一线的日本科学家和工程师外,每次都有相当数量的美国、韩国、欧洲等各地区的结技术研发专家出席。

第四届结技术国际研讨会是首次在日本以外地区举行,除了亚洲、美洲、欧洲等地的海外专家参加会议,还有一批目前在国内科研单位、先进芯片制造公司从事相关工作的科学家和工程师出席。FRDC研究员张进宇博士出席了该会议,并宣读了论文“Monte Carlo Amorphous Ion Implantation Possibility Algorithm”。该论文提出了一种应用于非晶硅离子注入Monte Carlo模拟新方法,使得计算的精度和效率大大提高。

新闻ID: 2004-03-16
日期: 2004-03-16
城市: 上海
公司: 富士通研究开发中心有限公司